双通道大功率IGBT驱动核特点及应用

PCB抄板，即在已经有电子产品实物和电路板实物的前提下，利用反向研发技术手段对电路板进行逆向解析，将原有产品的PCB文件、物料清单(BOM)文件、原理图文件等技术文件以及PCB丝印生产文件进行1：1的还原，然后再利用这些技术文件和生产文件进行PCB制板、元器件焊接、飞针测试、电路板调试，完成原电路板样板的完整复制。

主要参数(Ta=25℃ )
VS 供电电源电压+15 V
PDC/DC 隔离电源总功率6 W
Visol 隔离电压(1 minute. AC) 5 kV
VCES IGBT 集电极- 发射极电压1700 V
IoutAV 每通道平均电流100 mA
IoutPEAK 每通道峰值电流±25 A
Qout/pulse 每脉冲输出电荷±10* μC
VG(ON/OFF) 门极电压+15/-9 V
dv/dt 电压变化率75 kV/μS
td(I/O) 信号转换延时650 nS
tmd 窄脉冲抑制400 nS
td(err) 故障响应延时110 nS
fSW Max. 最高频率100 kHz
Top 工作温度-40℃ ...+80℃
 
特点
●集成DC/DC 隔离电源
●纳米晶变压器隔离
●动态监测VCEsat 提供短路( 过流) 保护
●欠压保护及门极电压监控
●故障“软关断”
●互锁及死区
●输出电荷可自由扩充，适合并联应用
● 0--100% 占空比
●表面爬电距离43mm
 
应用
桥式电路
变频器
逆变器
感应加热
EV
APF
SVG
高频电源
 
智联科技是国家级高新技术企业，自成立以来专注于高端电子装备的正反向研发与设计，我司在芯片解密领域已经有十多年的实战经验，能成功解密国外高端电子产品之芯片的程序，包括对机器代码的反汇编，或者通过编译器将机器代码反编译成标准C语言，提取算法，以及二次研发涉及的原理图，BOM表等，并可提供产品全套技术解决方案。